PD-Steckernetzteil mit internationalen Zulassungen 100W USB-C-Netzteil mit GaN-Technologie

Von Bicker Elektronik 1 min Lesedauer

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Die GaN-Halbleitertechnologie ermöglicht im Vergleich zu klassischen Silizium-Bauelementen höhere Schaltfrequenzen und geringere Verluste. Dies führt zu kompakteren Abmessungen, erhöhter Leistungsdichte und besserer Energieeffizienz.

(Bild:  Bicker Elektronik)
(Bild: Bicker Elektronik)

Die Bicker Elektronik GmbH,stellt mit dem ATN100A3-W200U ein kompaktes AC/DC-Steckernetzteil auf Basis moderner GaN-Halbleitertechnologie (Galliumnitrid) vor. Das fortschrittliche Design ermöglicht eine hohe Leistungsdichte bei kleiner Bauform und geringer Wärmeentwicklung. Mit bis zu 100 Watt Ausgangsleistung über USB-C erfüllt das PD-Steckernetzteil höchste Anforderungen an Sicherheit, Effizienz und Zuverlässigkeit. Das ATN100A3-W200U verfügt über eine verstärkte 2×MOPP-Isolation (Means of Patient Protection) und eine Isolationsspannung von 4000 VAC zwischen Ein- und Ausgang. Die Berührungsströme liegen unter 100 µA. Es ist zertifiziert nach den Sicherheitsnormen IEC/EN/ANSI/AAMI ES60601-1 (Edition 3.2) und IEC/EN/UL 62368-1 (3. Ausgabe), sowie hinsichtlich der EMV-Konformität nach IEC60601-1-2 (Edition 4.1). Damit erfüllt das Netzteil höchste Sicherheitsstandards für den weltweiten Einsatz in Medizin und Industrie.

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