Asymmetrische TVS-Dioden vom Typ SMFA von Littelfuse

Effizienter SiC-MOSFET Gate-Schutz Asymmetrische TVS-Dioden vom Typ SMFA von Littelfuse

08.04.2025 Von Rutronik 1 min Lesedauer

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Mit der SMFA-Serie asymmetrischer TVS-Dioden von Littelfuse führt Rutronik eine innovative Lösung für grössere Widerstandsfähigkeit von SiC-MOSFET Gate-Treiber-Schaltungen.

Die SMFA Asymmetric TVS-Diodenserie verfügt über ein Low Profile SOD-123FL-Gehäuse mit 1,08 mm Höhe.

(Bild: Rutronik)

Die Dioden wurden speziell für den Schutz der empfindlichen Gate-Strukturen sowohl vor negativen als auch vor positiven Überspannungen entwickelt, und können daher als Ersatz für zwei separate TVS-Dioden verwendet werden. Damit ermöglicht die Serie Designs, die sowohl kostengünstig als auch platzsparend sind und parasitäre Effekte minimieren. Sie eignen sich besonders für schnell schaltende SiC-Anwendungen im Bereich anspruchsvoller Stromversorgung für KI- / Rechenzentren, Halbleiter- / Industrieausrüstung oder der Infrastruktur für E-Mobilität. Sie sind in verschiedenen Ausführungen in Tape & Reel-Standardverpackung unter www.rutronik24.com erhältlich.

SiC-MOSFETs haben typischerweise eine deutlich geringere negative als positive Gate-Spannung. Daher war bislang ein asymmetrischer Schutz mit zwei separaten TVS-Dioden erforderlich, was mehr Platz im Design erforderte. Für diese Herausforderung bietet Littelfuse die integrierte asymmetrische, bidirektionale TVS-Diode vom Typ SMFA an.

Die Komponenten punkten mit niedriger Induktivität und einer hervorragenden Klemmfähigkeit. Sie erfüllen die Anforderungen der IEC 61000-4-2 bei 30 kV Luft- und 30 kV Kontaktentladung, sowie die der Entflammbarkeitsklasse UL94 V-0. Der Whisker-Test wird auf Grundlage von JEDEC JESD201A gemäss Tabelle 4a der Klassen 1 und 2 durchgeführt.

Je nach erforderlichem maximalen Gate-Spannungswert werden verschiedenen Typen mit positiven Durchbruchsspannungen (VBR) zwischen 17,6 V und 23,4 V angeboten. Die negative Durchbruchsspannung beträgt jeweils 7,15 V.

Benefits im Überblick:

Asymmetrische Diode zum Schutz sowohl vor positiver, als auch negativer Überspannung

Hervorragende Klemmfähigkeit

Niedrige Induktivität

Glas-passivierter Junction Chip

Oberflächenmontierbar

Low Profile SOD-123FL-Gehäuse mit 1,08 mm Höhe

Tape & Reel Standard Packaging

Halogenfrei und RoHS-konform

Anwendungsbeispiele:

Stromversorgungen für KI- / Rechenzentren und Server

Hochzuverlässige Stromversorgungen für Halbleiter- / Industrieanlagen

Hocheffiziente Stromversorgungen für EVI (Electric Vehicle Infrastructure)

(ID:50381347)

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Stand: 08.12.2025

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