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Platzsparend mit höherer Leistungsdichte Fünf neue Serien oberflächenmontierbarer Trench-MOS-Barrier-Schottky(TMBS)-­Gleichrichter von Vishay – jetzt bei Rutronik

Von Andreas Leu 1 min Lesedauer

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Rutronik Elektronische Bauelemente AG
SCHURTER AG
FAULHABER SA

Vishays Trench-MOS-Barrier-Schottky-Dioden: Besonders kompakte Gehäuse und optimierte Leistung. Die Gleichrichter eignen sich für die Nutzung bei hohen Temperaturen von bis zu 175 °C.

(Bild: Rutronik)
(Bild: Rutronik)

Rutronik erweitert das Gleichrichter-Portfolio um gleich fünf neue Typen für 60 V, 100 V und 150 V: Die oberflächenmontierbaren Trench-MOS-Barrier-­Schottky(TMBS)-Gleichrichter-Serien VxNL63-M3, VxNM63-M3, VxN103-M3, VxNM103-M3 und VxNM153-M3 von Vishay kommen in besonders kompakten DFN3820A-Gehäusen mit Wettable Flanks. Mit höheren Nennströmen und einer um bis zu 50% höheren Leistungsdichte als bei herkömmlichen SMA-Gehäusen sowie einer um 12% höheren Leistungsdichte als bei SMF-Gehäusen bilden sie eine hocheffiziente und platzsparende Lösung für kommerzielle, industrielle und energietechnische Anwendungen und sind auch als AEC-Q101-qualifizierte Version für die Automobilindustrie erhältlich. Als erste Produktlinie der neuen Power-DFN-Familie punktet das DFN3820A-Gehäuse besonders mit seiner sehr geringen Grundfläche von 3,8 × 2,0 mm und der extrem niedrigen Bauhöhe von 0,88 mm für eine noch effizientere Nutzung der Leiterplattenfläche. So ist das DFN-Gehäuse um 60%, 44% bzw. 35% kleiner als herkömmliche SMB- (DO-214AA) und SMA-Gehäuse (DO-0214AC und SOD128). Gleichzeitig ermöglichen das optimierte Kupfermassendesign und die fortschrittliche Technologie zur Die-­Platzierung eine hervorragende thermische Leistung, die den Betrieb bei höheren Nennströmen möglich macht.

(ID:50105003)

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