Opto-Sensorik Neues Interferometer zur hochpräzisen Wafer-Dickenmessung

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Das Weisslicht-Interferometer IMS5420-TH eröffnet neue Perspektiven in der industriellen Dickenmessung von monokristallinen Siliziumwafern.

(Bild:  Micro-Epsilon)
(Bild: Micro-Epsilon)

Dank der breitbandigen Superlumineszenzdiode (SLED) kann das IMS5420-TH sowohl für undotierte, dotierte als auch für hochdotierte SI-Wafer eingesetzt werden. Der Dickenmessbereich erstreckt sich von 0,05 bis zu 1,05 mm. Die messbare Dicke von Luftspalten beträgt sogar bis zu 4 mm. Bei der Produktion von Halbleiterwafern kommt es auf höchste Präzision an. Ein wichtiger Prozessschritt ist das Läppen der Siliziumrohlinge, die dabei auf eine einheitliche Dicke gebracht werden. Um die Dicke fortlaufend zu kontrollieren, wurden die Weisslichtinterferometer der Reihe interferoMETER IMS5420 entwickelt. Diese bestehen jeweils aus einem kompakten Sensor und einem Controller, der in einem robusten industrietauglichen Gehäuse untergebracht ist. Eine im Controller integrierte aktive Temperaturregelung sorgt für eine hohe Stabilität der Messung. Erhältlich ist das Interferometer entweder als Dicken- oder als Multipeak-Dickenmesssystem. Das Multipeak-Dickenmesssystem kann die Dicke von bis zu fünf Schichten messen.

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