Setzt neue Massstäbe Der neueste CoolMOS 8 mit 600 V von Infineon – jetzt bei Rutronik

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Infineons CoolMOS-Serie 8 – weltweit führend in der Hochspannungs-Super-Junction-MOSFET-Technologie.

(Bild:  Infineon)
(Bild: Infineon)

Rutronik ergänzt das MOSFET-Portfolio um die CoolMOS-8-Serie von Infineon. Sie folgt auf die 600-V-MOSFET-Familie CoolMOS 7, inklusive der Typen P7, S7, CFD7, C7, G7 and PFD7. Die Bauteile setzen sowohl technologisch als auch preislich neue Massstäbe und sind führend in der Hochspannungs-Super-Junction-MOSFET-Technologie. Sie verfügen über eine integrierte, schnelle Body-Diode, fortschrittliche Verbindungstechnologie und eine äusserst robuste Kommutierung und sind teilweise in Gehäusen mit Oberflächenkühlung verbaut. Dazu sind sie einfach zu bedienen und in bestehende Designs zu integrieren. Sie sind prädestiniert für eine Vielzahl an Power-Anwendungen im Bereich Telekommunikation, EV-Ladetechnik oder erneuerbare Energien. Die Komponenten überzeugen durch ihren besonders niedrigen Einschaltwiderstand (RDS[ON]) und können somit eine Effizienzsteigerung von 0,1% gegenüber der C7-Version und sogar 0,17% gegenüber P7 verzeichnen. Der optimierte RDS(on) ermöglicht zudem eine höhere Leistungsdichte, dadurch ist es möglich, Produkte in einer siliziumbasierten Super-Junction(SJ)-Technologie auf einen einstelligen Wert von 7 mΩ zu minimieren. Als MOSFETs stellen sie mit einem zwischen 14% und 42% niedrigeren thermischen Widerstand (Rth), einer geringen Klingelneigung und der vereinfachten Bedien- und Integrierbarkeit eine Innovation auf Systemebene dar.

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