Leistungs-Halbleiter Parallelschaltung mehrerer Bausteine wird überflüssig

Redakteur: Andreas Leu

Höhere Stromtragfähigkeit für geringere BOM: Infineon StrongIRFET 2 Power MOSFETs im Rutronik-Power-Portfolio.

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(Bild: Rutronik)

Die neuen StrongIRFET-2-Leistungs-MOSFETs in 80 V und 100 V sind die neueste Generation der MOSFET-Technologie von Infineon für ein breites Spektrum von Anwendungen und eignen sich sowohl für niedrige als auch für hohe Schaltfrequenzen. Diese neue Technologie bietet einen um 40 Prozent verbesserten RDS(on) und eine um über 50 Prozent niedrigere Gate-Ladung (Qg) im Vergleich zu den bisherigen StrongIRFET-Bauelementen. Die so generierte höhere Leistungseffizienz sorgt für eine verbesserte Gesamtsystemleistung. Höhere Nennströme ermöglichen eine höhere Strombelastbarkeit. Damit ist nicht mehr nötig, mehrere Bauelemente parallel zu schalten, was zu niedrigeren Stücklistenkosten und Einsparungen auf der Leiterplatte führt. Durch verschiedene Gehäusetypen (TO-220 FullPAK; ab CY2022 zusätzlich: D 2PAK, D 2PAK 7-pin und DPAK) findet sich für nahezu alle Anforderungen die passende StrongIRFET 2. Die robusten Leistungs-MOSFETs eignen sich für ein umfangreiches Spektrum an Anwendungen für Endverbraucher, wie Adapter, Fernsehgeräte, Elektrowerkzeuge und Gartengeräte, sowie im industriellen und Automotive-Umfeld.

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