Power-Halbleiter Silizium-IGBTs durch Siliziumkarbid-Bauelemente ersetzen

Redakteur: Andreas Leu

SiC-Angebot mit 1700-V-MOSFETs, diskreten Bauelementen und Power-Modulen erweitert die Möglichkeiten in Bezug auf Effizienz und Leistungsdichte.

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(Bild: Microchip)

Die 1700-V-SiC-
Technologie von Microchip ist eine Alternative zu bisherigen Silizium(Si)-IGBTs, die von Entwicklern fordern, Kompromisse bei der Leistungsfähigkeit einzugehen und komplizierte Topologien aufgrund der beschränkten Schaltfrequenz durch verlustbehaftete Si-IGBTs zu verwenden. Zudem werden Grösse und Gewicht von Leistungselektronik durch Transformatoren aufgebläht, die nur durch eine höhere Schaltfrequenz verkleinert werden können. Das neue SiC-Angebot ermöglicht es Entwicklern, über IGBTs hinauszugehen und stattdessen zweistufige Topologien mit weniger Bauelementen, höherem Wirkungsgrad und einfacherer Ansteuerung zu verwenden. Ohne Schaltbeschränkungen lassen sich Leistungswandler damit in Grösse und Gewicht erheblich reduzieren, wodurch Platz für mehr Ladestationen, zusätzlicher Raum für Fahrgäste und Fracht geschaffen oder die Reichweite und Betriebszeit von batteriebetriebenen Nutzfahrzeugen verlängert wird.

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